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Si4622DY
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
50
V GS = 10 V thr u 5 V
2.0
1.6
T C = - 55 °C
40
V GS = 4 V
T C = 25 °C
1.2
30
0. 8
20
10
0
V GS = 3 V
0.4
0.0
T C = 125 °C
0
1
2
3
4
5
0.0
0.7
1.4
2.1
2. 8
3.5
0.025
0.020
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
3000
2500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
V GS = 4.5 V
2000
0.015
V GS = 10 V
1500
0.010
1000
0.005
0.000
500
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
60
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 9.6 A
V DS = 15 V
1.6
1.4
6
V DS = 24 V
1.2
4
1.0
V GS = 4.5 V
I D = 8 .9 A
2
0
0. 8
0.6
V GS = 10 V, I D = 9.6 A
0
9
1 8
27
36
45
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 68695
S09-0764-Rev. B, 04-May-09
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